- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录507 > SI1025X-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH 60V 190MA SC-89
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SC-89: 6-Lead
0.051
(1.300)
0.012
(0.300)
0.020
(0.500)
0.051
(0.201)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
Return to Index
Return to Index
Document Number: 72605
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
21
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
SI1029X-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
SI1031X-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 155MA SC-75A
SI1033X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 145MA SC89
SI1037X-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 770MA SC-75A
SI1046R-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 606MA SC75-3
SI1046X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 606MA SC89-3
SI1050X-T1-GE3
MOSFET N-CH D-S 8V SC-89-6
SI1051X-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
相关代理商/技术参数
SI-10263
制造商:Bel Fuse 功能描述:CONN TEL/TELC F 32 POS 2.54MM SLDR RA TH 32TERM 4PORT - Trays
SI-10264-F
制造商:Bel Fuse 功能描述:- Trays
SI-10267
制造商:Bel Fuse 功能描述:- Trays
Si1026-A-GM
功能描述:射频微控制器 - MCU 32KB 8KB RAM PRGRM XCVR, DC-DC
RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube
Si1026-A-GMR
功能描述:射频微控制器 - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, XCVR
RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube
Si1026-B-GM
功能描述:射频微控制器 - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, XCVR
RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube
Si1026-B-GMR
功能描述:射频微控制器 - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, XCVR
RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube
SI1026X
制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) MOSFET